Intel will ein neuartiges Verfahren entwickelt haben, das das Unternehmen als Durchbruch in der Chipherstellung beschreibt. Die Silizium-Gates, die für das Ein- und Ausschalten der Transistoren verantwortlich sind, wurden durch Materialien ersetzt, die die Spannungsübersprünge besser verhindern sollen.
Das Problem von Stromverlusten innerhalb der Prozessoren könne so weitgehend gelöst werden. Diese, aus Patentgründen noch nicht näher beschriebenen Materialien, nennt
Intel "high-k". Sie sollen deutlich kleinere Transistoren ermöglichen. Mit der Marktreife rechnet Intel bis 2007. Bis dann will das Unternehmen erste Chips mit 45-Nanometer-Architektur ausliefern. (IW)