An der Halbleiterkonferenz Hot Chips 33 hat
Samsung Electronics seine neusten Entwicklungen bei DDR5-Speichermodulen präsentiert. Zum einen plant der Speicherhersteller ein RAM-Modul mit 512 Gigabyte Kapazität auf Basis von DDR5-7200-Technologie. Dazu setzt der Hersteller auf Through Silicon Vertical Interconnect Access (TSV): Die einzelnen Dies werden mit sehr dünnen Metallstäben verbunden, die Strom und Signale übermitteln. Auf diese Weise werden pro Package acht 265-Gigabit-Chips kombiniert. Zwanzig Packages ergeben somit ein halbes Terabyte an Kapazität.
Eine zweite Neuentwicklung sind die sogenannten AXDIMMs. Damit tritt Samsungs Idee PIM (Processing in Memory) in eine neue Phase. Auf einem AXDIMM befindet sich neben dem eigentlichen Speicher ein Accelerated-Buffer-Chip, der einfache Rechenaufgaben direkt auf dem RAM-Modul ausführt. Dadurch entfallen manche Datentransfers zwischen Memory und CPU, es wird Energie eingespart, und Zugriffe aufs RAM lassen sich besser parallelisieren: Die Buffer-Chips können auf alle Packages gleichzeitig zugreifen. Dies soll laut Samsung besonders KI-Anwendungen wie neuronalen Netzen zugutekommen.
Ein AXDIMM passt punkto Steckverbindung in einen konventionellen RAM-Steckplatz, sind aber deutlich höher als gewöhnliche DIMMs – siehe Bild. Wann solche Module auf den Markt kommen, sagt Samsung noch nicht. Auf jeden Fall dürfte der Markteintritt erst erfolgen, wenn Mitte 2022 Intels Xeon-CPUs Sapphire Rapids verfügbar werden, die erstmals DDR5 unterstützen.
(ubi)
