30 mal schneller als Flash-Speicher

Samsung hat den ersten funktionsfähigen Prototypen einer neuen Generation von Speichern vorgestellt. PCRAM (Phase Change Random Access Memory) soll innerhalb des nächsten Jahrzehnts die heutzutage in Rechner eingesetzten "High Density NOR Flash Chips" ersetzen, wie Pressetext meldet. Laut Samsung soll gebe es zahlreiche Vorteile gegenüber den derzeit verwendeten Speicher-Chips geben. Das Hauptargument für PCRAM sei die bis zu 30 mal schnellere Schreibgeschwindigkeit gegenüber den herkömmlichen Chips. Die Massenfertigung soll laut Samsung 2008 beginnen. (slz)